Нанопроволока позволила создать память высокой емкости

Коллектив ученых Пенсильванского университета создал из нанопроволоки память высокой емкости, способную сохранять троичные значения (0, 1 и 2) вместо всюду встречающихся двоичных (0 и 1) значений.

10 июля 2008 в 18:55, просмотров: 443

Взятая американскими физиками нанопроволока состоит из двух цилиндрических полупроводников, соосно вставленных друг в друга. Внутренний цилиндр (ядро) сделан из комбинации германия, сурьмы и теллура, а внешний (оболочка) из теллурида германия.

Подобная структура дает возможность производить запись информации с изменением фазы, то есть вызывая переход носителя из аморфного состояния в кристаллическое. Аморфное состояние соответствует значению 1, а кристаллическое – 0. Аналогичный  принцип записи реализован в магнитооптических, Blu-Ray и DVD-дисках.

Создатели нового типа памяти убеждены, что отныне количество записанной на носитель информации увеличивается минимум на 60 процентов, площадь же носителя сокращается на 37%.

Подробный отчет смотрите в журнале Nano Letters, передает Lenta.



Партнеры