По словам ведущего разработчика TRRAM (Transparent Resistive Random Access Memory) доктора Джун Вон Сео станет новым шагом в развитии электроники. С этим трудно не согласиться, поскольку TRRAM позволяет создать устройство прозрачное насквозь.
По своим характеристикам новая микросхема похожа на память типа CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), которая сегодня активно используется, например, в USB-флешках. Однако технологически новинка ближе к памяти типа RRAM (Resistive Random Access Memory) - тоже, кстати, относительно недавней разработке.
Дело в том, что для производства RRAM используются металлооксидные материалы с высокой прозрачностью. Для создания новой микросхемы, корейцам фактически было нужно всего лишь найти прозрачные электроды и подложку.
Коэффициент пропускания видимого излучения у новых чипов оказался равен 0,81. Это хороший результат, если учесть, что коэффициент пропускания стандартного двойного стеклопакета со стеклом М1 равен 0,82.
Разработка найдет широкое применение в электронике, ожидают разработчики. Если верить корейским ученым, наладить производство TRRAM не сложно и до массового внедрения новой памяти осталось ждать всего три-четыре года, а стоимость устройств с TRRAM будет не слишком высокой, сообщает NanoNewsNet.
