Возможно впервые исследователи получили одноатомный слой кремния – материал, получивший по аналогии с графеном название «силицен» – (silicone), сообщает chemport.ru.
Предполагается, что свойства нового материала должны во многом быть похожи на электронные свойства графена. Более того, силицен должен гораздо проще интегрироваться с обычными электронными устройствами на основе кремниевых микросхем, что, в свою очередь, означает, потенциальные возможности для ускорения разработки сверхминиатюрных электронных систем.
За последнее десятилетие уже несколько исследовательских групп по всему миру опубликовали работы, в которых они претендовали на первенство в экспериментальном получении силицена. Однако, по словам Патрика Фогта из Технического Университета Берлина и Паола Де Падова из Института Структуры Материалов (Италия), возглавлявших одну из групп, пытавшихся получить силицен, в уже опубликованных сообщениях приводятся весьма неубедительные свидетельства в пользу получения нового материала.
Исследователи попытались получить силицен с помощью простого осаждения кремния из паровой фазы на поверхность кристалла серебра. Фогт отмечает, что комбинация информации о строении материала, межатомных расстояний и электронных свойств полученного в результате эксперимента образца позволяет с уверенностью говорить о получении силицена. Межатомные расстояния и валентные углы, определенные экспериментально, отлично согласуются с теоретическими предсказаниями, полученными с помощью метода функционала плотности.
Фогт отмечает, что на настоящий момент сложно предсказать, насколько хорошим материалом для электроники (по сравнению с графеном) будет силицен – исследователи находятся только в начале долгого пути по изучению этого материала, но уже задумываются о синтезе и изучении аналогичного материала на основе германия – германицена (germanicene).
