Эффект был обнаружен при наблюдении за поведением полупроводникового материала арсенида галлия (GaAs), слои которого при определенных обстоятельствах меняют полярность на противоположную по отношению к соседним.
При этом, надеются разработчики, можно будет поймать двух зайцев: уменьшить физические размеры устройств и ускорить обработку информации, для доступа к которой не понадобится обращение к внешним устройствам. Правда, пока что "определенные обстоятельства" не удалось реализовать при комнатной температуре, но команда NIST надеется на "прорыв".
Новые магнитные свойства полупроводниковых материалов в будущем позволят создавать системы хранения данных непосредственно в кристалле, и таким образом станет возможной реализация хранилища данных и центра их обработки на одном чипе, сообщает Webplanet.
