Исследователи из МИЭТ и МГУ предложили новый эффективный метод получения дисульфидов молибдена и вольфрама, которые являются важными материалами для создания фототехники нового поколения. Результаты исследования были опубликованы в журнале Physica Status Solidi (B).
Последние годы свидетельствуют о росте интереса к новому классу полупроводниковых материалов, известных как дихалькогениды переходных металлов. Ученые отмечают, что тонкие слои этих соединений обладают уникальными свойствами поглощения света.
Дисульфид молибдена (MoS2) и дисульфид вольфрама (WS2) являются наиболее известными представителями этого класса материалов. Пленки из этих веществ имеют толщину, превышающую в 10 000 раз толщину человеческого волоса, и способны поглощать до 25% падающего на них света. Ученые считают это рекордным значением, которое позволяет улучшать матрицы фотоаппаратов, солнечные батареи и другую светочувствительную технику.
В настоящее время дисульфиды молибдена и вольфрама получаются в кварцевых печах, но этот процесс является медленным, сложно управляемым и имеет ограничения в масштабируемости для массового производства, пояснили ученые.
Ученые из Национального исследовательского университета "МИЭТ" и МГУ имени М.В. Ломоносова разработали новую установку для получения полупроводниковых дисульфидов переходных металлов с различными структурами.
