mk.ru : Московский комсомолец

Уважаемый Павел Николаевич!

В «МК» за 27 октября 2011 г. опубликована статья Ф.В.Лисовского «Кому он нужен, этот ВАК?». Мы очень удивлены, как такая уважаемая газета могла опубликовать эту статью без должной проверки. Дело в том, что все содержание этой статьи вводит читателя «МК» в заблуждение. Мы, специалисты по физике полупроводников и микроэлектронике, знаем диссертацию Галины Викторовны Чучевой и историю ее защиты. Ф.В.Лисовский, будучи специалистом в другой области физики, по-видимому, из-за неприязненного отношения к Г.В.Чучевой с самого начала стал чинить препятствия даже представлению диссертации к защите по формальным причинам ненаучного характера. Два основных обвинения в адрес Г.В.Чучевой состояли в следующем.

1. Диссертация якобы неправильно была представлена к защите, т.к. сначала (в 2006 г.) она была не рекомендована к защите одним семинаром института, а затем (в 2008 г., т.е. через 2 года) рекомендована к защите другим семинаром этого же института. Это обвинение говорит просто о незнании Ф.В.Лисовским Положения о совете по защите докторских и кандидатских диссертаций, где сказано (ст. 3.6.4), что «отрицательные отзывы и заключения по диссертации не являются препятствием для приема советом диссертации к защите». Но в данном случае было все гораздо проще: за эти 2 года Г.В.Чучева докладывала свою диссертацию во многих ведущих в области микроэлектроники научных организациях нашей страны. Везде диссертационная работа получала положительные отзывы, т.е. прошла основательную апробацию. После этого она была представлена к защите, опять же в соответствии с положением о совете по защите диссертаций, семинаром того структурного подразделения института, где Г.В.Чучева работает, дополненном специалистами других отделов. Были приглашены и сотрудники отдела, где было первичное рассмотрение в 2006 г. Таким образом, представление диссертации Г.В.Чучевой к защите в Диссертационный совет МИЭТ было проведено в полном соответствии с Положением о совете по защите докторских и кандидатских диссертаций.

2. Ф.В.Лисовский приписывает Г.В.Чучевой «плагиат», состоящий в том, что в двух статьях (из 34 вошедших в диссертацию), близких по методике эксперимента, разный состав авторов: в одной Г.В.Чучева с тремя сотрудниками, а в другой одна Г.В.Чучева. Но в данном случае Г.В.Чучева является полноправным автором обеих статей: когда имеется несколько авторов, то все соавторы являются в равной мере авторами всей статьи, если не оговорено иное. Во-вторых, в соответствии с требованием Положения о совете по защите докторских и кандидатских диссертаций все соавторы перед защитой диссертации Г.В.Чучевой представили в Диссертационный совет справку, что они не возражают против использования совместных публикаций в диссертации Г.В.Чучевой. Также в МИЭТе из членов Диссертационного совета была создана специальная комиссия, которая установила, что эти 2 статьи не аутентичны, их результаты не повторяют, а дополняют друг друга, и все соавторы подтверждают вклад Г.В.Чучевой как автора в обе работы. То есть ни о каком «плагиате» здесь не может быть и речи.

Ответ на эти два обвинения, а также ответы на другие, мелкие замечания были даны Ф.В.Лисовскому во время защиты диссертации членами специальной комиссии, а также выступавшими в дискуссии учеными. В результате все члены Диссертационного совета МИЭТ, присутствовавшие на заседании совета, единогласно проголосовали в поддержку диссертации Г.В.Чучевой. Тем не менее Ф.В.Лисовский не успокоился и стал писать заявления, базирующиеся на его отзыве на автореферат, в разные инстанции: в экспертный совет ВАК, в президиум ВАК, в Совет Федерации РФ, в Генеральную прокуратуру РФ. Везде на все его претензии были даны официальные отрицательные ответы.

Академики: Ю.В.Гуляев, член президиума РАН, директор Института радиотехники и электроники
им. В.А.Котельникова, г. Москва; Г.Я.Красников, генеральный директор Института молекулярной электроники и завода “Микрон”, г. Зеленоград; А.А.Орликовский, директор Физико-технологического института РАН,
г. Москва; В.И.Пустовойт,
директор Центра уникального приборостроения РАН, г. Москва.